本文標(biāo)題：" 微波元件小常識-細(xì)微元件焊接輔助體視顯微鏡"
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微波元件小常識-細(xì)微元件焊接輔助體視顯微鏡
傳統(tǒng)的微波介電陶瓷，如BMT( Bi(Mg1/3Ta2/3)O3 )或BNT(BaO-TiO2-Nd2O3)系統(tǒng)，雖然都有很好的微波介電特性，
但最大的缺點是燒結(jié)溫度過高，以BMT來說需要在1650 ℃的高溫才能達(dá)燒結(jié)致密化，
而??BNT系統(tǒng)的燒結(jié)溫度也高達(dá)1350 ℃，過高的燒結(jié)溫度使的BMT與BNT在積層微波元件的應(yīng)用上受到了限制。
Bi2O3-ZnO-Nb2O5系微波介電陶瓷具有良好的微波介電特性，最重要的是其低燒結(jié)溫度(<1000 ℃ )，
從文獻(xiàn)我們看到隨著Bi2O3-ZnO-Nb2O5之間不同的比例分布，共振頻率溫度系數(shù)tf亦明顯變化，
從-500~+160ppm/ ℃，而在Bi2Zn1.22Nb2O9(BiZN)這個組成下，
其共振頻率溫度系數(shù)tf?9ppm/ ℃，而介電常數(shù)值K約為65。在本論文研究中對于降低燒結(jié)溫度乃一重要課題，
本實驗以V2O5當(dāng)液相添加劑微量添加到BiZN當(dāng)中，當(dāng)添加2 mol%時即可將燒結(jié)溫度降低至850 ℃，
且微波介電特性并未改變其Q*F值為63,000、介電常數(shù)65、共振頻率溫度系數(shù)tf?0ppm/ ℃，
可成功的使用銀來當(dāng)內(nèi)電極，并研究材料各元素(Bi、Zn、Nb)
與銀電極共燒時之交互擴散(inter diffusion)問題和銀電極與BiZN基材之燒附性問題
，盡而解決成功的達(dá)成共燒的目的，以利未來設(shè)計制作微波元件
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